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专利名称：半导体存储器冗余电路专利类型：发明专利发明人：H·戈贝
申请号：CN98115951.6申请日：19980710公开号：CN1205520A公开日：19990120
摘要：本发明涉及一种具有分段组织的字线(WL)的半导体存储器的冗余电路,在这种电路中,当在一个分段(分段8、9、10)中出现一种故障字线(defect WL)时,借助从属于有关分段的熔丝组(10、11)通过分段间冗余,可以通过一个分段选择信号(RPDZ’)起动在相同的分段中或者在另一分段中的冗余字线(Red.WL)。分段选择信号(RPDZ’)通过分析熔丝组的输出信号直接产生。
申请人：西门子公司
地址：联邦德国慕尼黑
国籍：DE
代理机构：中国专利代理()有限公司
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