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专利名称：瞬态电压抑制器专利类型：发明专利
发明人：J.M.乔尔根森,S.康,C.N.马拉克,J.卢申请号：CN201280004406.6申请日：20120106公开号：CN103415821A公开日：20131127
摘要：一种瞬态电压抑制器可以包括具有耦合到V的阳极的硅可控整流器(SCR)。所述SCR可以包括PNP晶体管(Q2)和NPN晶体管(Q3)，所述PNP晶体管具有与NPN晶体管的集电极公用的基极，并且所述PNP晶体管具有与NPN晶体管的基极公用的集电极。所述TVS可以进一步包括具有阳极和阴极的齐纳二极管，其中阳极直接耦合到所述NPN晶体管的基极和/或阴极直接耦合到所述PNP晶体管的基极；以及额外的NPN晶体管(Q1)。所述SCR的阴极可以直接耦合到额外的NPN晶体管的基极，并且额外的NPN晶体管的集电极和发射极可以直接串联耦合在VCC与接地之间。
申请人：力特保险丝有限公司
地址：美国伊利诺伊州
国籍：US
代理机构：中国专利代理()有限公司
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