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专利名称：一种微米级片状铌酸钠晶体及其制备方法和应用专利类型：发明专利
发明人：靳立,乔俊,徐卓,魏晓勇申请号：CN201910533195.9申请日：20190619公开号：CN110342934A公开日：20191018
摘要：本发明公开了一种微米级片状铌酸钠晶体及其制备方法和应用，属于压电陶瓷技术领域。其特征是采用熔盐法制备片状铌酸钠晶体，BiNaNbO作为前驱体，在通过离子交换反应使该前驱体晶体与NaCO混合，同时将NaCl粉和KCl粉混合；再将前述两种混合物混合，在900～1000℃保温3～10小时；然后通过超声清洗除去烧成物中的NaCl、KCl，使用稀清洗除去烧成物中的BiO，获得微米级片状铌酸钠晶体。本发明的铌酸钠晶体具有立方相钙钛矿结构，方片状外形，尺寸约为10×10×1μm，大小分布均匀。该晶体极适合作为模板晶粒生长法(Templated Grain Grouth)制备高性能织构化压电陶瓷的籽晶。
申请人：西安交通大学
地址：710049 陕西省西安市咸宁西路28号
国籍：CN
代理机构：西安通大专利代理有限责任公司
代理人：范巍
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