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专利名称：制造用于成像设备的X射线衍射栅格微结构的方法专利类型：发明专利
发明人：王诗男,中村高士,手岛隆行,濑户本丰,渡边信一郎申请号：CN201180014855.4申请日：20110610公开号：CN1028121A公开日：20121205
摘要：一种微结构制造方法包括：在Si基板上形成第一绝缘膜；通过去除第一绝缘膜的一部分来露出Si表面；通过从露出的Si表面刻蚀Si基板来形成凹部；在凹部的底部和侧壁上形成第二绝缘膜；通过去除在凹部的底部上形成的第二绝缘膜的至少一部分来形成Si露出表面；以及通过电解镀敷从Si露出表面用金属填充凹部。
申请人：佳能株式会社
地址：日本东京
国籍：JP
代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：欧阳帆
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