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专利名称：半导体集成电路及其制造方法专利类型：发明专利发明人：山崎崇,辻川真平申请号：CN2012101708.1申请日：20120524公开号：CN102810538A公开日：20121205
摘要：本发明公开了一种半导体集成电路及其制造方法。所述半导体集成电路包括：与提供电源电压的两条电源线相连的被保护电路；检测电路，所述检测电路包括在上述两条电源线之间串联连接的电阻元件和电容元件并且基于元件间连接节点的电位变动检测在所述电源线中产生的电涌；及保护晶体管，所述保护晶体管连接于所述两条电源线之间并且设置有与所述检测电路的输出相连的控制电极，所述保护晶体管设置有由与所述被保护电路中的相同沟道导电型的晶体管具有功函数差异的不同的电极材料形成的控制电极，从而具有与所述晶体管不同的阈值电压以使得单位沟道宽度的漏电流的量与所述晶体管相比更小。本发明还能防止钳位电压增大，且使栅极电位的变动更小。
申请人：索尼公司
地址：日本东京
国籍：JP
代理机构：北京信慧永光知识产权代理有限责任公司
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