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专利名称：IGBT半桥功率模块专利类型：发明专利
发明人：贺东晓,姚天保,王晓宝,麻长胜申请号：CN201110433197.4申请日：20111222公开号：CN102510204A公开日：20120620
摘要：本发明涉及一种IGBT半桥功率模块，包括外壳和安装在外壳底面的铜底板，主电路及具有槽形部分和引出部分的至少两个输入电极和至少一个输出电极通过覆金属陶瓷基板与铜底板连接，两个输入电极的槽形底面相对设置，外壳的顶板分别设有与各输入电极和输出电极对应的插槽，具有螺母座的插板对应安装在各插槽内，各输入电极的引出部分的竖边分别穿出自各对应插板与插槽之间电极槽，其顶部的水平连接板位于插板的顶面，输出电极的引出部分的竖边穿出所对应插板与插槽之间电极槽，其顶部的水平连接板位于插板的顶面。本发明能同时兼顾小电感和电极小应力，便于制作和安装，且加工成本不高。
申请人：江苏宏微科技有限公司
地址：213022 江苏省常州市新北区华山中路18号
国籍：CN
代理机构：常州市维益专利事务所
代理人：贾海芬
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