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专利名称：脉冲加热多匣式化学气相沉积p-i-n镀膜装置专利类型：发明专利发明人：张一熙,李家娴申请号：CN200910132412.X申请日：20090327公开号：CN101845620A公开日：20100929
摘要：本发明提供一种多匣式等离子体辅助化学气相沉积装置，特别是一种脉冲加热多匣式化学气相沉积p-i-n镀膜装置，其包含：一工艺腔体；一真空泵，以抽出所述工艺腔体内的气体与控制压力；一气体供应装置，以供应工艺气体并控制其流量；以及多个第一电极板与对应的多个第二电极板，以交错排列且彼此平行的方式设置于所述工艺腔体内，以提供解离所述工艺气体所需的电场，产生等离子体，其中在所述多个第一电极板与第二电极板上设置有基板。本发明另提供利用所述多匣式等离子体辅助化学气相沉积装置制备薄膜太阳能电池的方法。
申请人：亚洲太阳科技有限公司
地址：中国九龙
国籍：CN
代理机构：北京三友知识产权代理有限公司
代理人：黄健
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