（19）中华人民共和国国家知识产权局
（12）发明专利申请
（21）申请号 CN201811517266.8 （22）申请日 2018.12.12 （71）申请人 北京化工大学
地址 100029 北京市朝阳区北三环东路15号
（10）申请公布号 CN109580726A
（43）申请公布日 2019.04.05
（72）发明人 程道建;李超;栾晓旭;李茜;吴登峰 （74）专利代理机构 北京正理专利代理有限公司
代理人 赵晓丹
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
一种在电极上直接生长ZnO纳米线制备气敏元件的方法
（57）摘要
本发明公开了一种在电极上直接生长ZnO
纳米线制备气敏元件的方法，包括如下具体步骤：称量0.4‑0.6g的Zn前驱体，将其溶于50mL去离子水中形成Zn前驱体溶液，持续搅拌；将1.4‑1.6mL氨水逐滴加入Zn前驱体溶液中，继续搅拌6‑10min后置于高压反应釜中，溶液高度至高压反应釜1/2～2/3高度处；将电极片浸入到高压反应釜溶液中，反应釜盖拧紧密封进行水热反应，水热温度70‑80℃，20‑30h后反应结束，干
燥，再将电极片在100‑500℃下焙烧，得到气敏元件。本发明ZnO纳米线气敏材料形貌均一，比表面积大，避免了材料涂抹电极过程中不均匀的问题，也避免了气敏材料在电极上的脱落问题。
法律状态
法律状态公告日
2019-04-05 2019-04-05 2019-04-30
法律状态信息
公开 公开
实质审查的生效
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公开 公开
实质审查的生效
权利要求说明书
一种在电极上直接生长ZnO纳米线制备气敏元件的方法的权利要求说明书内容是....请下载后查看
说明书
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