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专利名称：一种单晶元件制备系统专利类型：发明专利发明人：张辉
申请号：CN202010215137.4申请日：20200324公开号：CN111246612A公开日：20200605
摘要：本申请公开了一种单晶元件制备系统，包括：密闭壳体，还包括：电磁加热装置，设置于所述密闭壳体外部，用于提供电磁加热的交变磁场；加热工装，设置于所述密闭壳体内部，内固定有用于通过高温退火生成所述单晶元件的多晶元件；所述加热工装感应所述交变磁场产生热量，且所述电磁加热装置沿着所述加热工装的延伸方向移动。本申请提供的单晶元件制备系统，升温快，温度梯度可控，加快了晶界的延伸速度，提高制备成的单晶元件的效率和质量。
申请人：合肥本源量子计算科技有限责任公司
地址：230088 安徽省合肥市高新区创新大道2800号创新产业园二期E2楼六层
国籍：CN
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