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专利名称：半导体晶圆的处理专利类型：发明专利
发明人：斯特凡纳·克莱蒂,韦罗尼克·迪凯努瓦-蓬申请号：CN200610066632.3申请日：20060413公开号：CN1848382A公开日：20061018
摘要：本发明描述一种处理一晶圆的方法，此晶圆具有至少一个半导体材料表面层，所述表面层的表面已经历一化学机械抛光步骤，继之以一RCA清洁步骤。在所述抛光步骤之后且在所述RCA清洁步骤之前，所述方法包括使用SCl溶液清洁所述半导体材料表面层的表面的中间步骤，SCl溶液是使得所述表面层(曲线B)中出现的缺陷比未经历所述中间清洁步骤的相似表面层(曲线A)的缺陷减少的浓度和温度条件下。
申请人：S.O.I.探测硅绝缘技术公司
地址：法国贝尔宁
国籍：FR
代理机构：北京律盟知识产权代理有限责任公司
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