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专利名称：一种硅基薄膜太阳能电池及其制作方法专利类型：发明专利
发明人：万青,赵斌,周棋,易宗凤申请号：CN200910042742.X申请日：20090227公开号：CN101488531A公开日：20090722
摘要：本发明公开了一种硅基薄膜太阳能电池及其制作方法。主要包括：(1)沉积于透明导电玻璃衬底上的P型非晶硅薄膜；(2)和P型非晶硅薄膜连接的N型微米颗粒硅和透明氧化物的复合薄膜，(3)和N型复合硅薄膜接触的银或铝背电极。本发明提出的核心工艺为：1)按硅质量百分比为30～90％的比例，混合高纯N型导电类型的硅粉和无机氧化物纳米晶、胶体得到复合浆料；2)采用喷涂、印刷等成膜工艺结合退火处理在P型非晶硅层上沉积一层厚度为5－50微米的N型颗粒硅复合膜层。本发明引入了多晶硅/非晶硅异质PN结技术，同时采用颗粒多晶硅复合膜，避免了大粒径多晶硅薄膜难于直接沉积的难点，具有成本低廉，工艺简单且光电转换效率高等优势。
申请人：湖南大学
地址：410082 湖南沙市河西麓山南路2号
国籍：CN
代理机构：长沙市融智专利事务所
代理人：邓建辉
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