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专利名称：硅基薄膜太阳能电池及其制造方法专利类型：发明专利发明人：李毅
申请号：CN2015100313.0申请日：20150121公开号：CN104538468A公开日：20150422
摘要：本发明公开一种硅基薄膜太阳能电池的制造及工艺，属太阳能电池技术领域。本发明的目的解决现有硅基薄膜电池弱光条件下漏电流大，电池表面麻点，脱模等技术难题。本发明的技术特征包括，前电极图形阵列，还包括防漏电的隔离线或前电极边缘的绝缘线，贯通PIN非晶硅层的各种通孔；所说的PIN非晶硅N层的背电极是复合金属背电极或碳浆电极中的一种；前电极图形阵列、相邻节之间的隔离线宽0.3mm~0.6mm，用P层掺杂比小于1%，漏电流明显著减少。背电极引出铜浆电极附着力达到0.6公斤及以上。实施本发明积极效果是极大地提高升了良品率和外观质量，电压稳定，生产成本降低，良品率极大提高，技术创新更加细化。
申请人：李毅
地址：518029 广东省深圳市福田区八卦四路先科机电大厦534
国籍：CN
代理机构：深圳市毅颖专利商标事务所(普通合伙)
代理人：张艺影
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