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专利名称：一种制备柔性碳纳米管场效应晶体管的方法专利类型：发明专利发明人：郭奥,胡少坚,周伟申请号：CN201510683113.0申请日：20151020公开号：CN105304499A公开日：20160203
摘要：本发明属于半导造领域，公开了一种制备柔性碳纳米管场效应晶体管的方法，首先提供一硅衬底，接着在硅衬底上制备碳纳米管；然后制备以碳纳米管为沟道材料的场效应晶体管；再接着在碳纳米管场效应晶体管四周形成沟槽，且沟槽的四周相邻的端点处保留预设尺寸的桥接；然后对硅衬底进行横向刻蚀，以使碳纳米管场效应晶体管的底部保持悬空；最后采用PDMS印章工艺将碳纳米管场效应晶体管转移至柔性衬底，形成柔性碳纳米管场效应晶体管。本发明兼容了目前主流的高性能碳纳米管晶体管的制备工艺，通过集成柔性封装工艺，实现了柔性碳纳米管场效应晶体管的大规模量产，其市场应用价值广阔。
申请人：上海集成电路研发中心有限公司,成都微光集电科技有限公司
地址：201210 上海市浦东新区张江高斯路497号
国籍：CN
代理机构：上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
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