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专利名称：半导体元件的制造方法专利类型：发明专利
发明人：廖修汉,蒋汝平,谢荣源申请号：CN201210282153.0申请日：20120809公开号：CN1035751A公开日：20140212
摘要：本发明公开了一种半导体元件的制造方法。衬底具有第一区、第二区及第三区。至少于第一区及第二区的衬底上形成第一绝缘层。于第三区的衬底上形成第二绝缘层。于第二区的衬底中形成抑制区。移除第一绝缘层。于衬底上形成第三绝缘层，其中第三绝缘层于抑制区上的厚度小于第三绝缘层于第一区中的厚度。于衬底上形成导体材料层。进行图案化步骤，以于第一区中形成多数个第一栅极结构、于第二区中形成至少一第二栅极结构以及于第三区中形成至少一第三栅极结构。
申请人：华邦电子股份有限公司
地址：中国台中市大雅区科雅一路8号
国籍：CN
代理机构：隆天国际知识产权代理有限公司
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