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专利名称：锗硅异质结双极晶体管及制造方法专利类型：发明专利发明人：陈曦
申请号：CN201410354317.5申请日：20140724公开号：CN104576715A公开日：20150429
摘要：本发明公开了一种锗硅异质结双极晶体管，形成于P+硅衬底的P-外延层上，有源区由场氧区隔离，集电区形成于有源区中并延伸进入有源区两侧的场氧区底部；赝埋层形成于有源区两侧的场氧区底部且和集电区接触，在赝埋层顶部的场氧区中形成第一深孔接触引出集电极。集电区顶部依次形成有由锗硅外延层组成的基区和由多晶硅组成的发射区，基区和发射区顶部分别形成有金属接触。在器件外部区域形成有穿过层间膜和P-外延层的第二深孔接触，发射极通过顶部金属层和第二深孔接触连接并连接到P+硅衬底。本发明还公开了一种锗硅异质结双极晶体管的制造方法。本发明不需对器件结构进行改动就能降低器件的对地寄生电感并提高器件的功率特性。
申请人：上海华虹宏力半导造有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
国籍：CN
代理机构：上海浦一知识产权代理有限公司
代理人：郭四华
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