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专利名称：制作互补型金属氧化物半导体器件的方法专利类型：发明专利发明人：黄敬勇,张海洋申请号：CN201010124554.4申请日：20100311公开号：CN102194751A公开日：20110921
摘要：本发明公开了一种制作互补型金属氧化物半导体器件(CMOS器件)的方法，所述CMOS器件包括具有张应力层的NMOS区域和具有压应力层的PMOS区域，所述方法包括：提供一个具有NMOS区域和PMOS区域的半导体器件，所述NMOS区域的上方形成具有掺杂剂的张应力层；在所述NMOS区域的具有掺杂剂的张应力层和PMOS区域的上方沉积压应力层；在所述压应力层上形成覆盖PMOS区域、暴露NMOS区域的光刻胶图层；以所述光刻胶图层为掩膜刻蚀NMOS区域的压应力层，在该压应力层的刻蚀过程中检测所述张应力层中的掺杂剂所给出的信号，当信号强度达到预定值时，停止刻蚀，以得到所述CMOS器件。采用本发明的方法不会在该张应力层上残余氧化层，简化了制备具有应力层的CMOS器件的步骤。
申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江路18号
国籍：CN
代理机构：北京市磐华律师事务所
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