先进的低介电常数有机硅等离子体化学汽相沉积膜

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN200680004568.4 （22）申请日 2006.02.14

（71）申请人 国际商业机器公司;索尼株式会社

地址 美国纽约

（10）申请公布号 CN1011246A

（43）申请公布日 2008.02.13

（72）发明人 山·V.·阮;莎拉·L.·莱恩;李加;井田健作;达里尔·D.·拉斯坦诺;野上武史 （74）专利代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人 付建军

（51）Int.CI

H01L21/31;

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（54）发明名称

先进的低介电常数有机硅等离子体化学汽相沉积膜

（57）摘要

提供了一种多孔的低k或超低k电介质

膜，包括以共价键三维网络结构存在的Si、C、O和H(下面称为“SiCOH”)，具有低于大约3.0的介电常数，并具有比现有技术的SiCOH电介质更高程度的晶体键相互作用、更多作为甲基端基的碳和更少的亚甲基(－CH

法律状态

法律状态公告日

2008-02-13 2008-04-09 2009-08-26

公开

法律状态信息

公开

实质审查的生效 授权

法律状态

实质审查的生效 授权

权利要求说明书

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说明书

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