（19）中华人民共和国国家知识产权局
（12）发明专利说明书
（21）申请号 CN201410444171.3 （22）申请日 2014.09.02
（71）申请人 深圳市华星光电技术有限公司
地址 518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9—2号
（10）申请公布号 CN104241298B
（43）申请公布日 2017.11.10
（72）发明人 吕晓文;曾志远;苏智昱;张合静 （74）专利代理机构 深圳市德力知识产权代理事务所
代理人 林才桂
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
TFT背板结构及其制作方法
（57）摘要
本发明提供一种TFT背板结构及其制
作方法。该TFT背板结构具有开关TFT(T1)与驱动TFT(T2)，所述开关TFT(T1)由第一源\\漏极(61)、第一栅极(21)及夹在二者之间的第一蚀刻阻挡层(51)、第一氧化物半导体层(41)与第一栅极绝缘层(31)构成，所述驱动TFT(T2)由第二源\\漏极(62)、第二栅极(22)及夹在二者之间的第二蚀刻阻挡层(52)、第二氧化物半导体层(42)与第二栅极绝缘层(32)构成驱动TFT(T2)，所述第一栅极绝缘层(21)与第二栅极绝缘层(22)的材料不同或
厚度不同，从而所述开关TFT(T1)与所述驱动TFT(T2)的电特性不同。 法律状态
法律状态公告日
2014-12-24 2014-12-24 2015-01-14 2015-01-14 2017-11-10
法律状态信息
公开 公开
实质审查的生效 实质审查的生效 授权
法律状态
公开 公开
实质审查的生效 实质审查的生效 授权
权利要求说明书
TFT背板结构及其制作方法的权利要求说明书内容是....请下载后查看
说明书
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