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专利名称：半导体存储器专利类型：发明专利发明人：铃木和辉申请号：CN99109595.2申请日：19990713公开号：CN1241783A公开日：20000119
摘要：在半导体存储器中,用金属布线连接存储器单元阵列108和在该存储器单元阵列附近的GND选择器电路107,GND选择器电路107相对于一条金属布线连接一个晶体管,GND选择器电路内的用于GND选择的晶体管与用于预充电选择的晶体管共用,并且用数字线连接存储器单元阵列108和配置在该存储器单元阵列附近的Y选择器电路110,Y选择器电路110相对于一条数字线连接一个用于数位选择的晶体管,该数位选择晶体管与用于预充电选择的晶体管共用。
申请人：日本电气株式会社
地址：日本东京
国籍：JP
代理机构：中原信达知识产权代理有限责任公司
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