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专利名称：用于非易失性存储器的编程方法专利类型：发明专利发明人：文承炫,崔奇焕申请号：CN200810188771.2申请日：20080822公开号：CN101447230A公开日：20090603
摘要：示例性实施例关注于用于对具有电荷存储层的非易失性存储器设备进行编程的方法、存储器设备和系统，包括执行至少一个单元编程循环，每个单元编程循环包括：对至少两个页施加编程脉冲，对所述至少两个页施加时间延迟，以及对所述至少两个页施加检验脉冲。
申请人：三星电子株式会社
地址：韩国京畿道
国籍：KR
代理机构：北京市柳沈律师事务所
代理人：钱大勇
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