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专利名称：非易失性存储器件和系统及非易失性存储器件编程
方法
专利类型：发明专利发明人：姜东求,金亨埈申请号：CN201010260571.0申请日：20100824公开号：CN101996681A公开日：20110330
摘要：一种对包括N比特多电平单元(MLC)存储单元的非易失性存储器编程的方法包括：对该MLC存储单元执行递增步长脉冲编程(ISPP)操作，其中该ISPP操作包括第一至第N页编程操作的编程序列，其中N是2或更大的整数。该编程序列还包括在第(N-1)页编程操作之后且在第N页编程操作之前执行的擦除编程，其中该擦除页编程增大该MLC存储单元当中的擦除单元的阈值电压分布。
申请人：三星电子株式会社
地址：韩国京畿道
国籍：KR
代理机构：北京市柳沈律师事务所
代理人：钱大勇
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