专利内容由知识产权出版社提供
专利名称：薄膜晶体管和显示装置专利类型：发明专利发明人：诸泽成浩,藤森隆成申请号：CN201010108020.2申请日：20100128公开号：CN101794823A公开日：20100804
摘要：提供一种能够改善包括氧化物半导体层的薄膜晶体管的可靠性的薄膜晶体管。薄膜晶体管，包括：栅电极；在栅电极上形成的栅极绝缘膜；在栅极绝缘膜上形成与栅电极对应的沟道区的氧化物半导体层；在氧化物半导体层上，至少在与沟道区对应的区域中形成的沟道保护膜；和源/漏电极。在栅极绝缘膜上，氧化物半导体层的顶面和侧面被源/漏电极和沟道保护膜覆盖。
申请人：索尼公司
地址：日本东京
国籍：JP
代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：李颖
更多信息请下载全文后查看
