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专利名称：相变化记忆体及其制造方法专利类型：发明专利发明人：苏水金
申请号：CN201510944666.7申请日：20151216公开号：CN105428529A公开日：20160323
摘要：本发明揭露一种相变化记忆体及其制造方法。相变化记忆体包含主动元件、下电极、第一绝缘层、上电极、弓形加热器以及环状相变化层。下电极耦接主动元件，第一绝缘层位于下电极上方，而上电极位于第一绝缘层上方。弓形加热器嵌于第一绝缘层中，而环状相变化层则围绕第一绝缘层与上电极，且环状相变化层接触弓形加热器的一侧面。由于弓形加热层与环状相变化层之间的接触面积很小，因此相变化记忆体的重置电流很低。
申请人：宁波时代全芯科技有限公司,英属维京群岛商时代全芯科技有限公司
地址：315195 浙江省宁波市鄞州工业园区(鄞州区姜山镇新张俞村)
国籍：CN
代理机构：北京律诚同业知识产权代理有限公司
代理人：徐金国
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