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专利名称：铟镓氮外延薄膜及生长方法和在太阳能电池的应用专利类型：发明专利
发明人：谢自力,张荣,刘斌,韩平,修向前,文博,刘成祥,赵红,郑
有炓,顾书林,江若琏,施毅,朱顺明,胡立群
申请号：CN200610088287.3申请日：20060707公开号：CN1885494A公开日：20061227
摘要：高结晶铟镓氮单晶外延膜，在蓝宝石衬底先设有GaN缓冲层，且为20－200nm的低温GaN缓冲层；然后生长厚度可达到1－80μm的高结晶的InGa (0≤x≤1)材料。高结晶铟镓氮单晶外延膜的生长方法，在蓝宝石衬底上利用MOCVD系统先生长GaN缓冲层，在500－700℃温度范围生长厚度在20－200nm的低温GaN缓冲层；然后利用MOCVD生长高结晶的InGaN材料；接着在GaN缓冲层上以500－1050℃生长高质量InGaN材料；生长压力在0－700Torr，尤其控制在300－700Torr；其中0≤X≤1材料厚度1μm以上。太阳能电池采用材料InGaN薄膜，电极采用MSM结构。
申请人：南京大学
地址：210093 江苏省南京市汉口路22号
国籍：CN
代理机构：南京天翼专利代理有限责任公司
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