专利内容由知识产权出版社提供
专利名称：具有双交叉点阵列的三维半导体存储器器件及其制
造方法
专利类型：发明专利发明人：白寅圭,金善政申请号：CN201210194507.6申请日：20120613公开号：CN102832220A公开日：20121219
摘要：本发明涉及具有双交叉点阵列的三维半导体存储器器件及其制造方法。该器件可以包括布置在不同垂直层面以限定两个交叉点的第一、第二和第三导线，以及分别布置在这两个交叉点处的两个存储器单元。所述第一和第二导线可以彼此平行地延伸，所述第三导线可以延伸成与所述第一和第二导线交叉。在垂直截面视图中，所述第一和第二导线可以沿着所述第三导线的长度交替设置，并且所述第三导线可以在垂直方向上与所述第一和第二导线间隔开。
申请人：三星电子株式会社
地址：韩国京畿道
国籍：KR
代理机构：北京天昊联合知识产权代理有限公司
更多信息请下载全文后查看
