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专利名称：一种提高p型材料层载流子浓度的方法专利类型：发明专利发明人：张伟,徐春阳
申请号：CN201610073452.1申请日：20160202公开号：CN107026076A公开日：20170808
摘要：本发明提供了一种提高p型材料层载流子浓度的方法，所述方法为：在采用金属有机化合物气相沉积方法完成GaAs、InP或Ge衬底上外延层生长后的退火阶段，在反应腔中通入AsH和/或PH气体。本发明通过在用金属有机化合物气相沉积方法(MOCVD)制备外延层过程中的退火阶段引入气体AsH(砷烷)和/或PH(磷烷)，调节和控制气体组成成份以及比例来提升p型材料层(如，p型GaAs、InP、AlGaInP或GaP中任意一种或至少两种的组合)载流子浓度。
申请人：中晟光电设备(上海)股份有限公司
地址：200120 上海市浦东新区张江高科技园区华佗路168号3幢B区
国籍：CN
代理机构：北京品源专利代理有限公司
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