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专利名称：存储装置及其制造方法专利类型：发明专利发明人：山中贵哉,首藤晋申请号：CN201210072182.4申请日：20120316公开号：CN102983148A公开日：20130320
摘要：实施例的存储装置包括第1信号线、第2信号线、晶体管、存储区域、导通区域。晶体管分别控制第1信号线和第2信号线之间流过的第1方向的电流及与第1方向相反的第2方向的电流的导通。存储区域在第1信号线和晶体管的一端之间连接，具有第1平行阈值以上的电流流过第1方向时磁化方向成为平行，第1反平行阈值以上的电流流过第2方向时磁化方向成为反平行的第1磁隧道结元件。导通区域在第2信号线和晶体管的另一端之间连接。
申请人：株式会社东芝
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：北京市中咨律师事务所
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