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专利名称：芯片内高压雷击防护电路专利类型：发明专利
发明人：田泽,邵刚,刘敏侠,唐龙飞,刘颖,胡曙凡申请号：CN201611140184.7申请日：20161212公开号：CN108615728A公开日：20181002
摘要：本发明提出一种芯片内高压雷击防护电路，该电路包括电阻Rin、电阻Rs、高压二极管DHW、硅控整流器SCR和串列结构PMOS；硅控整流器SCR内部的连接关系为PNP管q1的集电极与NPN管q2的基极相连接，PNP管q1的基极与NPN管q2的集电极相连接，电阻R1将PNP管q1的基极与发射极相连，电阻R2将NPN管q2的基极与发射极相连接，电阻Rin一端输入端口dis连接，另一端分别与二极管DHW的阴极、电阻Rs和PNP管q1的发射极相连，电阻Rs另一端与PNP管q1的基极以及6个串联的栅源连接的pmos管P1的源极相连，二极管DHW的阳极、NPN管q2的发射极和P6的漏极连接至地。本发明通过端口串联电阻的SCR电路，实现端口的雷击保护。
申请人：中国航空工业集团公司西安航空计算技术研究所
地址：710000 陕西省西安市锦业二路15号
国籍：CN
代理机构：中国航空专利中心
代理人：杜永保
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