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专利名称：一种C波段限幅低噪声放大器专利类型：实用新型专利发明人：金瑾,蔡宁霞,王立申请号：CN201620312605.9申请日：20160413公开号：CN2056105U公开日：20160928
摘要：本实用新型属于微波通信技术领域，特别涉及一种C波段限幅低噪声放大器。本实用新型包括第一隔离单元、限幅单元、放大器单元、以及第二隔离单元，所述第一隔离单元的信号输入端连接输入信号，第一隔离单元的信号输出端连接限幅单元、放大器单元的信号输入端，所述放大器单元的信号输出端连接第二隔离单元的信号输入端，所述第二隔离单元的信号输出端连接输出信号。本实用新型的各个电路单元中的元器件相比传统放大器结构中的元器件要少，而且本实用新型的电路尺寸比传统的电路结构简单。因此本实用新型具备结构紧凑、尺寸较小、噪声系数低的优点，符合目前微波器件的小型化发展的趋势。
申请人：安徽四创电子股份有限公司
地址：230088 安徽省合肥市高新技术产业开发区香樟大道199号
国籍：CN
代理机构：合肥和瑞知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：王挺
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